Número do Produto do Fabricante:
TSM4N60ECH C5G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4N60ECH C5G-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 86.2W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventário:
12899272
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TSM4N60ECH C5G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
545 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86.2W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
TSM4N60
Informação Adicional
Outros nomes
TSM4N60ECH C5G-DG
TSM4N60ECHC5G
Pacote padrão
3,750
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPS80R2K4P7AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPS80R2K4P7AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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NÚMERO DA PEÇA
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FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
22491
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
0.35
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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